xelization，ViP），该技术可以显著提高AM性能，使AMOLED有效发光面积（开口率）从传统的29%增加至69%*，使像素密度提升至1700 ppi*以上，配合维信诺Tandem叠层器件技术，较FMM AMOLED可实现6倍的器件寿命或4倍的亮度。

　　ViP技术从根本上解决了现有FMM AMOLED制程中与FMM相关的各类问题，突破了其在性能、成本、产品不良方面的限制，推动AMOLED进入AMOLED+阶段。

　　ViP技术无需FMM蒸镀工艺。该技术在TFT控制背板部分可以沿用AMOLED现有技术和工艺，在阳极制备完成后，从像素定义层(PDL)开始逐步差异化，形成ViP AMOLED特有的隔离柱结构，随后进入整面蒸镀及光刻图形化步骤进行像素制备。

　　首先进行整面蒸镀，完成第一个颜色全套OLED发光层和功能层的沉积，之后进行整面薄膜封装（第一无机层），再通过涂胶k8凯发官网、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺，选择性地除去基板上不需要保留的部分（这是消除金属掩膜版的关键步骤），以此完成第一个颜色的图形化；随后将上述过程再重复两次，完成RGB三原色的全彩图形化。

　　ViP技术突破了FMM带来的精度限制大、材料利用率较低、开模成本较高、开发生产周期长、排版单一等瓶颈。ViP AMOLED中的RGB子像素通过光刻的方式制作，形成独立子像素结构，每个子像素的EL器件结构可独立设计、性能可独立调节，这是ViP技术带来多个性能优势的根本原因。而FMM AMOLED技术路线中k8凯发官网，因为EL器件中每个共通层同时为RGB三种子像素发挥作用，故不能实现子像素器件的独立调试优化，限制了EL器件的性能。

　　通过无FMM、高精度制作的独立 OLED 子像素，实现了更优的产品性能、全尺寸应用领域、更灵活的生产交付。

　　ViP技术采用光刻像素化工艺及特殊像素定义层设计，可以实现更窄的像素定义层开口间距，能使AMOLED有效发光面积（开口率）从传统的29%增加至69%，进而带来更好的寿命表现。配合Tandem叠层器件，较FMM AMOLED可实现6倍的器件寿命或4倍的亮度。

　　RGB子像素的器件膜层厚度可单独定制，使EL器件光学性能调试更具灵活性。在75°以下的所有视角下，ViP AMOLED的视角色偏（JNCD）均可降到1.0 以下。

　　ViP技术中，隔离柱结构隔断了共通层在子像素之间的连接，避免像素间的串扰。在低灰阶（低亮度）下，ViP AMOLED的DCI-P3色域覆盖率可保持与高灰阶下接近，仍达100%以上。

　　ViP技术使每个像素周围的隔离柱结构共同形成了金属网状结构，VSS电流电阻极小的隔离柱网络中传输，可减小显示区域平面内VSS IR-Drop，实现更高的亮度均一性和更低的功耗（功耗几乎不受面板尺寸影响）。按照笔记本电脑尺寸进行测算，ViP技术可带来38%以上的功耗降低。

　　ViP技术不使用FMM，能在高ppi下依然采用real RGB像素排列。ViP技术可使像素密度提升至1700ppi以上，从而使OLED的应用范围可扩展到AR/VR等近眼显示设备。同时ViP技术在高亮度、低功耗、长寿命表现上有大幅度提升，可兼顾中大尺寸对性能和功耗的需求，实现全尺寸应用领域全覆盖。

　　ViP技术微米级的单个子像素封装，更好地隔绝水氧，更有效抑制扩散黑斑的产生，提升产品可靠性。

　　ViP技术通过光刻实现EL器件图案制备，高透过率区域的无用膜层（阴极、EL膜层等）可被移除，大幅提升透明AMOLED的透过率。

　　ViP技术解决了FMM费用高、交期⻓、起订门槛高等痛点，带来新的量产优势：降低最小订单数量、提高排版率、定制屏体自由形状。

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